真空成膜装置 
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SUPLaDUOは、中外炉が長年にわたり蓄積した真空総合技術・熱制御技術に、独自の研究開発の末に実用化した多彩なプラズマ制御技術を融合した、画期的な真空成膜（蒸着）プロセスです。
イオン化率の極めて高い低電圧・大電流プラズマを生成する圧力勾配型ホロカソードプラズマガンを搭載し、このプラズマを独自開発の磁場制御技術でコントロール。低基板温度・高成膜速度・高反応性で酸化亜鉛透明導電膜や絶縁膜などの良質な薄膜作製を実現し、同時にスプラッシュも抑制。幅広いアプリケーションソフト・ハードを充実して実用化しています。
イオン化率の極めて高い低電圧・大電流プラズマを生成する圧力勾配型ホロカソードプラズマガンを搭載し、このプラズマを独自開発の磁場制御技術でコントロール。低基板温度・高成膜速度・高反応性で酸化亜鉛透明導電膜や絶縁膜などの良質な薄膜作製を実現し、同時にスプラッシュも抑制。幅広いアプリケーションソフト・ハードを充実して実用化しています。
■特長
- 低基板温度で低抵抗の透明導電膜（ITOやZnO酸化亜鉛など）が高速で作製できる。
- 従来比3〜4倍の高速成膜で緻密で耐スパッタ性に優れたMgO膜が作製できる。
- 数10Vのバイアス電圧下で密着性、耐久性、表面平滑性、硬度などに優れた膜が高速で作製できる。
- 酸化物、窒化物などの複合膜や多層膜が簡単に作製できる。
など、従来成膜法では物足りなかった、1クラス上の成膜ニーズにお応えします。
■絶縁性薄膜の断面SEM比較（SixOy膜）
【従来の抵抗加熱蒸着法】 【SUPLaDUO】
Si基板上に成膜したSixOy膜を断面SEM写真で比較すると、SUPLaDUOでは緻密な膜が形成されています。さらにSUPLaDUOでは非加熱成膜なうえ、成膜速度は10nm/secと高速です。
■プラスチックフィルムへのGZO（Ga添加酸化亜鉛）成膜サンプル写真
ファインテック ジャパン展示会にて（左側2枚は15Ω/□、30Ω/□の成膜サンプル）
■基本システム構成
■プラスチックフィルムへのGZO（Ga添加酸化亜鉛）成膜サンプル写真
ファインテック ジャパン展示会にて（左側2枚は15Ω/□、30Ω/□の成膜サンプル）
■基本システム構成
真空成膜装置SUPLaDUOは、開発用から本格量産用まで、多様なニーズに最適なシステムを提供しています。
なお、絶縁膜を形成する絶縁材料の量産安定成膜には、反射電子帰還電極システムの搭載が必須です。
受託テストのご案内ページへ
なお、絶縁膜を形成する絶縁材料の量産安定成膜には、反射電子帰還電極システムの搭載が必須です。
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